3轴各向异性磁阻的制备方法,申请号CN201410844129.0-传众专利搜索

3轴各向异性磁阻的制备方法

申请公布号：CN104505460A

申请号：CN201410844129.0

申请日期：2014.12.25

申请公布日期：2015.04.08

申请人：

上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人：时延;王健鹏;王俊杰

分类号：H01L43/12(2006.01)I

主分类号：H01L43/12(2006.01)I

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：郑玮

地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

摘要：本发明提出了一种3轴各向异性磁阻的制备方法，第一次刻蚀仅对沟槽底部表面的磁性材料进行刻蚀，不再同时对沟槽底部表面及基片表面进行刻蚀，避免了刻蚀速率不同造成基片表面被过刻蚀，然后进行第二次刻蚀，对位于基片表面的磁性材料进行刻蚀，形成平面磁阻与垂直磁阻的同时，在两者之间形成间距，从而形成3轴各向异性磁阻。可见，将沟槽和基片表面的磁性材料分开刻蚀，避免了过刻蚀现象，确保形成的3轴各向异性磁阻的性能。

主权项：一种3轴各向异性磁阻的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供基片，在所述基片中形成多个沟槽；在所述基片及沟槽的表面形成磁性材料；进行第一次刻蚀，刻蚀去除所述沟槽底部表面的部分磁性材料，保留位于所述基片及沟槽侧壁的磁性材料；进行第二次刻蚀，对所述基片表面的磁性材料进行刻蚀，形成平面磁阻及垂直磁阻，并在所述平面磁阻与垂直磁阻之间形成间距。