制备半导体层的方法,申请号CN201380032455.5-传众专利搜索

制备半导体层的方法

申请公布号：CN104508847A

申请号：CN201380032455.5

申请日期：2013.06.17

申请公布日期：2015.04.08

申请人：

剑桥显示技术有限公司

发明人：C·纽萨姆

分类号：H01L51/00(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I

主分类号：H01L51/00(2006.01)I

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：王海宁

地址：英国剑桥

摘要：一种制备有机电子器件的半导体层方法，该方法包括：(i)从包含聚合物半导体、非聚合物半导体、第一芳族溶剂和第二芳族溶剂的溶液沉积所述半导体层，其中所述第二芳族溶剂的沸点比所述第一芳族溶剂的沸点高至少15℃；和(ii)加热所述沉积的层以蒸发所述溶剂，其中所述第一芳族溶剂具有式(I)：<img file="DDA0000637757020000011.GIF" wi="414" he="323" />其中R1选自C1-6烷基和OC1-6烷基；和R2和R3各自独立地选自H和CC1-6烷基。

主权项：一种制备有机电子器件的半导体层的方法，该方法包括：(i)从包含聚合物半导体、非聚合物半导体、第一芳族溶剂和第二芳族溶剂的溶液沉积所述半导体层，其中所述第二芳族溶剂的沸点比所述第一芳族溶剂的沸点高至少15℃；和(ii)加热所述沉积的层以蒸发所述溶剂。