半导体装置之制造方法,申请号TW100105338-传众专利搜索

半导体装置之制造方法

申请公布号：TWI466193

申请号：TW100105338

申请日期：2009.10.20

申请公布日期：2014.12.21

申请人：

半导体能源研究所股份有限公司日本

发明人：须泽英臣;笹川慎也;村冈大河

分类号：H01L21/336;H01L21/306;H01L21/28

主分类号：H01L21/336

代理人：林志刚台北市中山区南京东路2段125号7楼

地址：日本

摘要：本发明之目的在于建立制造使用氧化物半导体的半导体装置的处理技术。在基板上方形成闸极电极，在闸极电极上方形成闸极绝缘层，在闸极绝缘层上方形成氧化物半导体层，藉由湿式蚀刻来处理氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，藉由第一乾式蚀刻来处理导电层以形成源极电极和汲极电极，并且藉由第二乾式蚀刻来去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者藉由乾式蚀刻来处理导电层以形成源极电极和汲极电极，并且藉由该乾式蚀刻来去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。

主权项：一种半导体装置的制造方法，包含以下步骤：形成包含氧化物半导体之半导体层，该氧化物半导体含有铟；藉由湿式蚀刻来处理该半导体层以形成岛状半导体层；以及藉由乾式蚀刻来处理该岛状半导体层以形成凹陷部分于该岛状半导体层中。