被动调Q单纵模激光器,申请号CN201420393693.0-传众专利搜索

被动调Q单纵模激光器

申请公布号：CN204012176U

申请号：CN201420393693.0

申请日期：2014.07.11

申请公布日期：2014.12.10

申请人：

励盼攀

发明人：励盼攀

分类号：H01S3/0941(2006.01)I;H01S3/11(2006.01)I

主分类号：H01S3/0941(2006.01)I

地址：315725 浙江省象山县东陈乡旦门村双农1组59号

摘要：本实用新型涉及一种被动调Q单纵模激光器，包括激光二极管(1)、第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)、激光晶体(4)、被动调Q晶体(5)和耦合器(6)，所述第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)依次设置在所述激光二极管(1)和激光晶体(4)之间，所述激光晶体(4)与被动调Q晶体(5)并列设置，所述被动调Q晶体(5)设置在激光晶体(4)和耦合器(6)之间。本实用新型提供的被动调Q单纵模激光器利用缩短腔长增加纵模间隔从而获得单纵模输出，得到单纵模连续的种子源结合主振荡放大器法获得大能量的输出，经过Q调制获得脉冲单纵模激光。

主权项：一种被动调Q单纵模激光器，其特征在于：所述激光器包括激光二极管(1)、第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)、激光晶体(4)、被动调Q晶体(5)和耦合器(6)，所述第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)依次设置在所述激光二极管(1)和激光晶体(4)之间，所述激光晶体(4)与被动调Q晶体(5)并列设置，所述被动调Q晶体(5)设置在激光晶体(4)和耦合器(6)之间。