半导体激光器芯片及其制造方法,申请号CN200810088459.6-传众专利搜索

半导体激光器芯片及其制造方法

申请公布号：CN101276995B

申请号：CN200810088459.6

申请日期：2008.03.31

申请公布日期：2014.08.27

申请人：

夏普株式会社

发明人：近江晋;岸本克彦

分类号：H01S5/22(2006.01)I

主分类号：H01S5/22(2006.01)I

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：彭久云

地址：日本大阪府

摘要：本发明提供一种半导体激光器芯片及其制造方法，该方法能够抑制层中断，并且同时减少在水平方向上光辐射角的制造偏差。该方法包括在n型GaAs基板上形成半导体元件层的步骤，该半导体元件层由包括蚀刻标记层的多个半导体层组成；在该半导体元件层中的接触层中形成凹陷部分的步骤，该凹陷部分具有没有到达该蚀刻标记层的深度；以及通过干法蚀刻来蚀刻该半导体元件层且同时用激光监测在该凹陷部分的底区域中的蚀刻深度而形成脊部分的步骤。

主权项：一种制造半导体激光器芯片的方法，包括：在基板上形成半导体元件层的步骤，该半导体元件层包括含有蚀刻标记层的多个半导体层；在该半导体元件层中的预定区域中形成凹陷部分的步骤，该凹陷部分具有没有到达该蚀刻标记层的预定深度；以及通过干法蚀刻来蚀刻该半导体元件层并同时监测在该凹陷部分的底区域的蚀刻深度而在该半导体元件层没有形成凹陷部分的区域中形成脊部分的步骤，其中形成该半导体元件层的步骤包括在该蚀刻标记层的顶表面上依次形成p型外覆层、中间层和接触层的步骤，其中形成该凹陷部分的步骤包括在不形成该凹陷部分的该半导体元件层的区域上形成掩模层并且用该掩模层作为掩模蚀刻该半导体元件层的第一步骤，且其中蚀刻该半导体元件层的第一步骤包括通过湿法蚀刻来蚀刻该半导体元件层至触及该中间层的深度的第二步骤。