Bipolartransistor mit isoliertem Gate,申请号DE20121102823T-传众专利搜索

Bipolartransistor mit isoliertem Gate

申请公布号：DE112012002823(T5)

申请号：DE20121102823T

申请日期：2012.07.06

申请公布日期：2014.08.21

申请人：

ABB TECHNOLOGY AG

发明人：RAHIMO, MUNAF;CORVASCE, CHIARA;KOPTA, ARNOST;ANDENNA, MAXI

分类号：H01L29/739;H01L29/10

主分类号：H01L29/739

摘要：Es wird ein IGBT mit Schichten zwischen einer Emitterelektrode (2) auf einer Emitterseite (11) und einer Kollektorelektrode (25) auf einer Kollektorseite (15) bereitgestellt, umfassend: – eine Kollektorschicht (9) auf der Kollektorseite (15), – eine Driftschicht (8), – eine Basisschicht (4) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, – eine erste Sourceregion (7), die auf der Basisschicht (4) in Richtung der Emitterseite (11) angeordnet ist, – eine Graben-Gateelektrode (3), die lateral zu der Basisschicht (4) angeordnet ist und sich tiefer in die Driftschicht (8) als die Basisschicht (4) erstreckt, – eine Wanne (5), die lateral zu der Basisschicht (4) angeordnet ist und sich tiefer in die Driftschicht (8) als die Basisschicht (4) erstreckt, – eine Anreicherungsschicht (6), die die Basisschicht (4) umgibt, dergestalt, dass die Anreicherungsschicht (6) die Basisschicht (4) völlig von der Driftschicht (8) und der Wanne (5) trennt, – zusätzlich zu der Emitterelektrode (2) eine elektrisch leitende Schicht (32), die die Wanne (5) abdeckt, wobei die elektrisch leitende Schicht (32) durch eine zweite elektrisch isolierende Schicht (36) von der Wanne (5) getrennt ist, – eine dritte isolierende Schicht (38), die eine Aussparung (39) über der elektrisch leitenden Schicht (32) aufweist, dergestalt, dass die elektrisch leitende Schicht (32) die Emitterelektrode (2) elektrisch kontaktiert.