一种制备超长一维单晶硅纳米/微米结构的方法,申请号CN201410025120.7-传众专利搜索

一种制备超长一维单晶硅纳米/微米结构的方法

申请公布号：CN103726102A

申请号：CN201410025120.7

申请日期：2014.01.20

申请公布日期：2014.04.16

申请人：

中国科学院理化技术研究所

发明人：张晓宏;张丙昌;王辉

分类号：C30B25/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I

主分类号：C30B25/02(2006.01)I

代理机构：

北京正理专利代理有限公司 11257

代理人：张文祎

地址：100190 北京市海淀区中关村东路29号

摘要：本发明公开了一种制备超长一维单晶硅纳米/微米结构的方法，包括如下步骤：1)将前驱体放入第一容器中，并将第一容器放入反应器的高温区；取催化剂放入第二容器中，并将第二容器放入反应器的低温区，使反应器为真空状态；2)加热反应器，自然冷却至室温，然后向所述反应器的腔内充入空气，打开反应器，在所述第二容器中得到超长一维单晶硅纳米/微米结构。本发明方法具有简单，可控性好，可大量制备超长一维单晶硅纳米/微米结构的特点。

主权项：一种制备超长一维单晶硅纳米/微米结构的方法，包括如下步骤：1)将前驱体放入第一容器中，并将第一容器放入反应器的高温区；取催化剂放入第二容器中，并将第二容器放入反应器的低温区，使反应器为真空状态；2)加热反应器，自然冷却至室温，然后向所述反应器的腔内充入空气，打开反应器，在所述第二容器中得到超长一维单晶硅纳米/微米结构。