一种低栅极电荷功率器件及其制备方法,申请号CN201310734227.4-传众专利搜索

一种低栅极电荷功率器件及其制备方法

申请公布号：CN103730506A

申请号：CN201310734227.4

申请日期：2013.12.27

申请公布日期：2014.04.16

申请人：

杭州立昂微电子股份有限公司

发明人：王海峰;张瑞丽;石夏雨;邱涛;陈祖银

分类号：H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I

主分类号：H01L29/78(2006.01)I

代理机构：

杭州杭诚专利事务所有限公司 33109

代理人：尉伟敏

地址：310018 浙江省杭州市下沙经济技术开发区20号大街199号

摘要：本发明公开了一种低栅极电荷功率器件，栅区中的栅氧化层采用由主栅氧化层与次栅氧化层构成的组合式栅氧化层，其中，次栅氧化层与主栅氧化层之间形成台阶结构，且主栅氧化层的宽度小于等于N-型漂移区顶面的宽度，可单独增大主栅氧化层的厚度以增大栅氧化层的整体厚度而不影响与沟道接触的次栅极氧化层的垂直厚度，从而在不影响器件开关速度的前提下，降低栅区与漏极之间的电容，以达到减小栅极电荷的目的，降低开关器件的驱动功耗。本发明还公开了一种低栅极电荷功率器件的制备方法，在兼容现有工艺的情况下，分两步先后形成主栅氧化层与次栅氧化以得到组合式栅氧化层，工艺步骤简单，可操作性强。

主权项：一种低栅极电荷功率器件，包括漏极、位于漏极上的N+型衬底及位于N+型衬底上的N‑型漂移区，所述N‑型漂移区的两侧肩部位置设有P+型沟道区域，P+型沟道区域顶面设有N+型源极区域，所述N‑型漂移区上设有栅区，所述栅区上设有源极，所述栅区包括位于N‑型漂移区上的栅氧化层，所述栅氧化层上设有多晶硅栅，所述多晶硅栅上设有ILD绝缘层，其特征在于，所述栅氧化层包括主栅氧化层以及位于主栅氧化层两侧的次栅氧化层，所述主栅氧化层位于N‑型漂移区上方并与N‑型漂移区接触，且主栅氧化层的宽度小于等于N‑型漂移区顶面的宽度，所述次栅氧化层的外侧边缘延伸至与之邻近的N+型源极区域顶面上方，并与N+型源极区域接触，次栅氧化层与主栅氧化层之间形成台阶结构。