半导体存储介质高电压销毁装置
申请公布号:CN203408968U
申请号:CN201320382900.8
申请日期:2013.06.28
申请公布日期:2014.01.29
发明人:赵龙;王恬恬
分类号:B09B3/00(2006.01)I
主分类号:B09B3/00(2006.01)I
代理人:赵郁军
地址:100039 北京市海淀区永定路88号长银大厦9A07室
摘要:本实用新型提供一种半导体存储介质高电压销毁装置,包括壳体,壳体上设有存储介质接插口、控制按钮、显示单元,壳体上装设有防爆罩,用于罩住存储介质接插口及接插于该存储介质接插口上的存储介质;壳体内安装有控制芯片及电源电路,该电源电路的第一电压输出端与该控制芯片的电源输入端相连接,该电源电路的第二电压输出端通过控制开关与该存储介质接插口相连接,该控制芯片的控制信号输出端与该控制开关相连接。本实用新型使用方便、体积小、处理时间短、销毁较为彻底。
主权项:半导体存储介质高电压销毁装置,其特征在于,它包括:壳体,壳体上设有存储介质接插口,壳体上装设有用于罩住该存储介质接插口及接插于该存储介质接插口上的存储介质的防爆罩;壳体内安装有控制芯片及电源电路,该电源电路的第一电压输出端与该控制芯片的电源输入端相连接,该电源电路的第二电压输出端通过控制开关与该存储介质接插口相连接,该控制芯片的控制信号输出端与该控制开关相连接。