氮化物半导体激光器及外延基板,申请号CN201280019471.6-传众专利搜索

氮化物半导体激光器及外延基板

申请公布号：CN103493316A

申请号：CN201280019471.6

申请日期：2012.02.07

申请公布日期：2014.01.01

申请人：

住友电气工业株式会社;索尼株式会社

发明人：京野孝史;盐谷阳平;住友隆道;善积祐介;上野昌纪;梁岛克典;田才邦彦;中岛博

分类号：H01S5/343(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I

主分类号：H01S5/343(2006.01)I

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：李亚;穆德骏

地址：日本大阪府大阪市

摘要：本发明提供一种缩小光封闭性的降低且可实现驱动电压的下降的氮化物半导体激光器。在半导体区域（19）中，发光层（13）的活性层（25）、第一包覆区域（21）及第二包覆区域（23）设置在主面（17a）上。第二包覆区域（23）包含第一p型III族氮化物半导体层（27）及第二p型III族氮化物半导体层（29）。第一p型III族氮化物半导体层（27）由InAlGaN层构成，第二p型III族氮化物半导体层（29）由与该InAlGaN层不同的半导体构成。该InAlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层（27）设置在第二p型III族氮化物半导体层（29）与活性层（25）之间。第二p型III族氮化物半导体层（29）的比电阻（ρ29）低于第一p型III族氮化物半导体层（27）的比电阻（ρ27）。

主权项：一种氮化物半导体激光器，包括：导电性的支撑基体，具有由氮化镓类半导体构成的主面；活性层，设置在所述主面上；及p型包覆区域，设置在所述主面上，所述主面相对于与在所述氮化镓类半导体的c轴方向上延伸的基准轴正交的基准面而倾斜，所述活性层设置在所述支撑基体与所述p型包覆区域之间，所述p型包覆区域包含第一p型III族氮化物半导体层及第二p型III族氮化物半导体层，所述第一p型III族氮化物半导体层由InAlGaN层构成，所述第二p型III族氮化物半导体层由与该InAlGaN层的材料不同的半导体构成，所述InAlGaN层内含各向异性的应变，所述第一p型III族氮化物半导体层设置在所述第二p型III族氮化物半导体层与所述活性层之间，所述第二p型III族氮化物半导体层的比电阻低于所述第一p型III族氮化物半导体层的比电阻。