INTERCONNECTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
申请公布号:US2013299993(A1)
申请号:US201213469093
申请日期:2012.05.11
申请公布日期:2013.11.14
发明人:CHEN HSIN-YU
分类号:H01L23/48;H01L21/768
主分类号:H01L23/48
摘要:The present invention provides a method for fabricating an interconnection of a semiconductor device, which includes the following processes. First, an isolation layer is formed on a substrate. Then, at least a first trenches extending along a first direction is formed in the isolation layer. The first trench is then filled up with a first conductive material followed by forming a patterned mask layer on the substrate, wherein the patterned mask exposes parts of the isolation layer and part of the first conductive material. Finally, at least a second trench extending along a second direction is formed in the isolation layer, wherein the at least one second trenches intersects and overlaps portions of the at least one first trenches.
Verfahren zur Darstellung eines Küpenfarbstoffes der Anthrachinonreihe.
Verfahren zur Darstellung eines Küpenfarbstoffes der Anthrachinonreihe.
Verfahren zur Herstellung eines neuen Azofarbstoffes.
Verfahren zur Herstellung eines neuen Azofarbstoffes.
Verfahren zur Herstellung eines neuen Azofarbstoffes.
Verfahren zur Herstellung bunter Farben.
Improvements in aircraft construction
Improvements in weighing machines
Improvements in circuit arrangements comprising a mercury rectifier having an ignition electrode
Verfahren zur Herstellung von Verbindungen der m-Phenanthrolinreihe
Verfahren zum Herstellen von Briefumschlaegen, Beuteln o. dgl. mit Selbstklebung
Anordnung zur Regelung der Leistung von Synchrongeneratoren bei ploetzlicher Be- oder Entlastung
Verfahren zum Entkaelken von geaescherten Haeuten und Fellen
Wasserstandsregelung bei Oberflaechenkondensatoren mit Kondensatrueckfuehrung