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INTERCONNECTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

申请公布号:US2013299993(A1)

申请号:US201213469093

申请日期:2012.05.11

申请公布日期:2013.11.14

申请人:
CHEN HSIN-YU

发明人:CHEN HSIN-YU

分类号:H01L23/48;H01L21/768

主分类号:H01L23/48

摘要:The present invention provides a method for fabricating an interconnection of a semiconductor device, which includes the following processes. First, an isolation layer is formed on a substrate. Then, at least a first trenches extending along a first direction is formed in the isolation layer. The first trench is then filled up with a first conductive material followed by forming a patterned mask layer on the substrate, wherein the patterned mask exposes parts of the isolation layer and part of the first conductive material. Finally, at least a second trench extending along a second direction is formed in the isolation layer, wherein the at least one second trenches intersects and overlaps portions of the at least one first trenches.

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