用于FinFET的源极/漏极轮廓,申请号CN201210587451.0-传众专利搜索

用于FinFET的源极/漏极轮廓

申请公布号：CN103325831A

申请号：CN201210587451.0

申请日期：2012.12.28

申请公布日期：2013.09.25

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

发明人：马大钧;吴政宪;柯志欣;万幸仁

分类号：H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I

主分类号：H01L29/78(2006.01)I

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：章社杲;孙征

地址：中国台湾新竹

摘要：本实施例是一种FinFET器件。FinFET器件包括鳍、第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域和沟道区域。鳍凸起在衬底上方。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域位于鳍中。沟道区域横向地位于第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间。沟道区域具有与衬底的顶面既不平行也不垂直的面。本发明提供了用于FinFET的源极/漏极轮廓。

主权项：一种FinFET器件，包括：鳍，凸起在衬底上方；第一源极/漏极区域，位于所述鳍中；第二源极/漏极区域，位于所述鳍中；以及沟道区域，横向地位于所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间，所述沟道区域具有与所述衬底的顶面既不平行也不垂直的沟道面。