超级结LDMOS器件及制造方法,申请号CN201010265250.X-传众专利搜索

超级结LDMOS器件及制造方法

申请公布号：CN102376762B

申请号：CN201010265250.X

申请日期：2010.08.26

申请公布日期：2013.09.11

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

发明人：钱文生

分类号：H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I

主分类号：H01L29/78(2006.01)I

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：丁纪铁

地址：201206 上海市浦东新区川桥路1188号

摘要：本发明公开了一种超级结LDMOS器件，包括一横向超级结，所述横向超级结由互相接触的第一导电类型埋层和第二导电类型漂移区组成，第一导电类型埋层处于第二导电类型漂移区的底部且第一导电类型埋层和第二导电类型漂移区的接触面为一平行于硅衬底表面的横向面；第一导电类型埋层还横向延伸进入第一导电类型沟道区的底部并和第一导电类型沟道区形成接触。本发明公开了一种超级结LDMOS器件的制造方法。本发明能提高器件击穿电压的同时大幅度降低器件的导通电阻，能使得制造工艺更加简洁、廉价、且工艺稳定性更高。

主权项：一种超级结LDMOS器件，其特征在于：形成于第二导电类型硅衬底上，所述超级结LDMOS器件包括：一第一导电类型埋层、一第一导电类型沟道区、一第二导电类型漂移区、一第二导电类型源极、一第二导电类型漏极、一多晶硅栅；所述第一导电类型埋层由形成于所述第二导电类型硅衬底的上部区域的第一导电类型离子注入区组成；在所述第一导电类型埋层的上部形成有一第二导电类型外延层；所述第一导电类型沟道区为形成于所述第二导电类型外延层中的一第一导电类型离子注入区，所述第一导电类型离子注入区还纵向延伸进入所述第一导电类型埋层中并和所述第一导电类型埋层形成接触；所述第二导电类型漂移区由位于所述第一导电类型沟道区的旁侧所述第二导电类型外延层构成，所述第二导电类型漂移区和所述第一导电类型埋层形成接触且接触面都为平行于硅衬底表面的横向面；所述第一导电类型埋层和所述第二导电类型漂移区互相接触形成所述横向超级结；在所述第二导电类型漂移区形成一场氧，所述场氧和所述第一导电类型沟道区相隔一距离；在所述第一导电类型沟道区上部形成有所述多晶硅栅，所述多晶硅栅还横向延伸进入所述第二导电类型漂移区和所述场氧的上部，所述多晶硅栅通过一栅氧化硅和其底部的所述第一导电类型沟道区、所述第二导电类型漂移区相隔离；在所述多晶硅栅一旁侧的所述第一导电类型沟道区中形成有所述第二导电类型源极、在所述多晶硅栅另一旁侧且和所述场氧相邻接的所述第二导电类型漂移区中形成有所述第二导电类型漏极。