肖特基势垒二极管和制造肖特基势垒二极管的方法
申请公布号:CN102119443B
申请号:CN200980131020.X
申请日期:2009.07.23
申请公布日期:2013.08.14
发明人:堀井拓;宫崎富仁;木山诚
分类号:H01L29/47(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I
主分类号:H01L29/47(2006.01)I
代理人:孙志湧;穆德骏
地址:日本大阪府
摘要:一种制造肖特基势垒二极管(11)的方法包括以下步骤。首先,准备GaN衬底(2)。在GaN衬底(2)上形成GaN层(3)。形成肖特基电极(4),该电极包括由Ni或Ni合金制成的且与GaN层(3)接触的第一层。形成肖特基电极(4)的步骤包括形成金属层以用作肖特基电极(4)的步骤以及热处理金属层的步骤。与肖特基电极(4)接触的GaN层(3)的区域具有1×108cm-2或更小的位错密度。
主权项:一种制造肖特基势垒二极管的方法,包括以下步骤:准备GaN层(3);以及形成肖特基电极(4),所述肖特基电极(4)包括第一层(4a),所述第一层(4a)由Ni或Ni合金构成并且与所述GaN层(3)相接触,其中,所述的准备GaN层(3)的步骤包括这样一个步骤,其中,准备所述GaN层(3),使得该GaN层(3)的与所述肖特基电极(4)相接触的区域(3c)具有1×108cm‑2或更小的位错密度,以及所述的形成肖特基电极(4)的步骤包括在所述GaN层(3)上形成具有开口的绝缘层(17)的步骤、形成用作从所述开口延伸到所述绝缘层的所述肖特基电极(4)的金属层的步骤、以及热处理所述金属层与所述绝缘层从而形成包括所述第一层(4a)的所述肖特基电极(4)的步骤。
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