一种半波电磁场发生器,申请号CN201210455852.0-传众专利搜索

一种半波电磁场发生器

申请公布号：CN102946654A

申请号：CN201210455852.0

申请日期：2012.11.14

申请公布日期：2013.02.27

申请人：

明达实业（厦门）有限公司

发明人：林华乡;许耀元;张英彪

分类号：H05B6/06(2006.01)I

主分类号：H05B6/06(2006.01)I

代理机构：

厦门市新华专利商标代理有限公司 35203

代理人：朱凌

地址：361022 福建省厦门市海沧新阳工业区明达实业（厦门）有限公司

摘要：本发明公开一种半波电磁场发生器，包括整流滤波模块、第一IGBT管、第一电容、第二IGBT管、第二电容、CPU控制模块、38译码器以及具有互锁和可调节驱动信号功能的功能芯片，该整流滤波模块与市电输入相连而形成直流输入，该第一IGBT管、第一电容、第二IGBT管、第二电容以及加热模块一起组成H桥，该CPU控制模块与功能芯片相连并还通过38译码器而调节功能芯片所输出方波的频率，该第一IGBT管的门极和第二IGBT管的门极与功能芯片相连而分别接收功能芯片所产生的互锁方波。与现有技术相比，本发明结构简单、成本低廉，而且由于设置两个IGBT管，IGBT管反压得到有效控制，使用寿命长；另外还具有加热功率调节方便的功效。

主权项：一种半波电磁场发生器，其特征在于，包括整流滤波模块、第一IGBT管、第一电容、第二IGBT管、第二电容、CPU控制模块、38译码器以及具有互锁和可调节驱动信号功能的功能芯片，该整流滤波模块与市电输入相连而形成直流输入，该第一IGBT管、第一电容、第二IGBT管、第二电容以及加热模块一起组成H桥，该CPU控制模块与功能芯片相连并还通过38译码器而调节功能芯片所输出方波的频率，该第一IGBT管的门极和第二IGBT管的门极与功能芯片相连而分别接收功能芯片所产生的互锁方波。