Einkristallines Phasenwechselmaterial,申请号DE201011003917T-传众专利搜索

Einkristallines Phasenwechselmaterial

申请公布号：DE112010003917(T5)

申请号：DE201011003917T

申请日期：2010.11.03

申请公布日期：2012.11.22

申请人：

INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.;MACRONIX INTERNATIONAL CO. LTD.

发明人：LAM, CHUNG HON;SCHROTT, ALEJANDRO G.;CHEN, CHIEH-FANG

分类号：H01L45/00;B05D5/00

主分类号：H01L45/00

摘要：Ein Verfahren zum Herstellen einer Phasenwechselspeicher(PCM)-Zelle beinhaltet Bilden einer dielektrischen Schicht oberhalb einer Elektrode, wobei die Elektrode ein Elektrodenmaterial umfasst; Bilden eines Durchgangslochs in der dielektrischen Schicht, sodass das Durchgangsloch bis hinunter zu der Elektrode reicht; und Wachsen eines Einkristalls eines Phasenwechselmaterials auf der Elektrode in dem Durchgangsloch. Eine Phasenwechselspeicher(PCM)-Zelle beinhaltet eine Elektrode, die ein Elektrodenmaterial umfasst; eine dielektrische Schicht oberhalb der Elektrode; ein Durchgangsloch in der dielektrischen Schicht; und einen Einkristall eines Phasenwechselmaterials angeordnet in dem Durchgangsloch, wobei der Einkristall die Elektrode am Boden des Durchgangslochs berührt.