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一种声表面波气体传感器及其制造方法

申请公布号:CN102778503A

申请号:CN201110122283.3

申请日期:2011.05.12

申请公布日期:2012.11.14

申请人:
中国科学院微电子研究所

发明人:李冬梅;侯成诚;闫学峰;周文;汪幸;刘明;谢常青;叶甜春

分类号:G01N29/02(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I

主分类号:G01N29/02(2006.01)I

代理机构:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人:逯长明;王宝筠

地址:100029 北京市朝阳区北土城西路3号

摘要:本发明公开了一种声表面波气体传感器及其制造方法,所述声表面波气体传感器包括:基底、同时设置在所述基底上的阵列式插指换能器和外围电路;其中,所述基底部分镀有压电薄膜;所述阵列式插指换能器设置于所述压电薄膜之上;所述阵列式插指换能器中除两端的插指换能器之外均覆盖有保护膜;所述阵列式插指换能器中两端的插指换能器分别连接所述外围电路构成回路;所述外围电路设置于未镀有所述压电薄膜的基底部分。通过本发明实施例,可以实现将表面波器件及其外围电路同时设置于同一基片上。

主权项:一种声表面波气体传感器,其特征在于,包括:基底、同时设置在所述基底上的阵列式插指换能器和外围电路;其中,所述基底部分镀有压电薄膜;所述阵列式插指换能器设置于所述压电薄膜之上;所述阵列式插指换能器中除两端的插指换能器之外均覆盖有保护膜;所述阵列式插指换能器中两端的插指换能器分别连接所述外围电路构成回路;所述外围电路设置于未镀有所述压电薄膜的基底部分。

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