一种磁控溅射用平面阴极,申请号CN201120257996.6-传众专利搜索

一种磁控溅射用平面阴极

申请公布号：CN202307784U

申请号：CN201120257996.6

申请日期：2011.07.21

申请公布日期：2012.07.04

申请人：

上海德化机电科技有限公司

发明人：陈曦;陆志豪

分类号：H01J37/04(2006.01)I;H01J37/34(2006.01)I

主分类号：H01J37/04(2006.01)I

地址：200092 上海市杨浦区赤峰路63号1号楼310室

摘要：本实用新型涉及一种磁控溅射镀膜装置，更具体地说涉及一种磁控溅射用平面阴极。本实用新型的磁控溅射用平面阴极包括磁轭、靶材、软铁和磁体，其中，靶材位于磁轭下表面，与磁轭连接；软铁位于磁轭内，与磁轭连接，磁体也位于磁轭内，与软铁连接；软铁靠面阴极端部的部分呈楔形，且该部分的厚度越靠面阴极端部越小；此外，软铁靠面阴极端部的部分设有调节螺钉，用于调节软铁和磁体与磁轭表面靶材的间距。本实用新型通过在平面阴极内部设置软铁间距调整机构，对平面阴极两端靶材溅射表面的磁场强度进行精密调整，达到均匀膜层厚度的目的，使镀膜均匀性在3米的宽度范围内控制在±1.5％之内；同时，进一步提高了平面阴极两端靶材的利用率，降低镀膜成本。

主权项：一种磁控溅射用平面阴极，包括磁轭、靶材、软铁和磁体，其中，靶材位于磁轭下表面，与磁轭连接；软铁位于磁轭内，与磁轭连接，磁体也位于磁轭内，与软铁连接，其特征在于，所述软铁靠近平面阴极端部的部分呈楔形，且该部分的厚度越靠近平面阴极端部越小；所述软铁靠近平面阴极端部的部分设有调节螺钉，用于调节软铁和磁体与靶材溅射表面的间距。