一种钐掺杂的钇钡铜氧超导薄膜及其制备方法,申请号CN201110385214.1-传众专利搜索

一种钐掺杂的钇钡铜氧超导薄膜及其制备方法

申请公布号：CN102491740A

申请号：CN201110385214.1

申请日期：2011.11.28

申请公布日期：2012.06.13

申请人：

西北有色金属研究院

发明人：王鹏飞;卢亚锋;张国防;金利华;王耀;于泽铭;李成山

分类号：C04B35/45(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I

主分类号：C04B35/45(2006.01)I

代理机构：

西安创知专利事务所 61213

代理人：谭文琰

地址：710016 陕西省西安市未央路96号

摘要：本发明公开了一种钐掺杂的钇钡铜氧超导薄膜，该超导薄膜的化学组成为YSmxBa2-xCu3Oy，其中0＜x≤0.5。本发明还公开了钐掺杂的钇钡铜氧超导薄膜的制备方法，该方法为：一、制备前驱液；二、采用旋涂法将前驱液涂覆于基底上，然后真空干燥；三、将干燥后的基底置于管式炉中进行热解，得到前驱膜；四、将前驱膜置于管式炉中进行晶化处理，得到钐掺杂的钇钡铜氧超导薄膜；或者将前驱膜作为基底，重复二和三1次或多次后置于管式炉中进行晶化处理，得到钐掺杂的钇钡铜氧超导薄膜。本发明通过在钡位掺杂钐引入离子缺陷作为钉扎中心，以减少磁通蠕动所产生的能量损耗，与YBCO薄膜相比，提高了其在外加磁场下的临界电流密度。

主权项：一种钐掺杂的钇钡铜氧超导薄膜，其特征在于，该超导薄膜的化学组成为YSmxBa2‑xCu30y，其中0＜x≤0.5。