等离子体处理装置和等离子体处理方法
申请公布号:CN102473634A
申请号:CN201080036920.9
申请日期:2010.08.10
申请公布日期:2012.05.23
发明人:小津俊久;松本直树;塚本刚史;高井和人
分类号:H01L21/3065(2006.01)I
主分类号:H01L21/3065(2006.01)I
代理人:刘新宇;张会华
地址:日本东京都
摘要:本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置提高了基板表面的等离子体处理的均匀性。该等离子体处理装置(1)用于使被导入到处理容器(2)中的处理气体等离子化来处理基板(W),其中,被导入到收纳在处理容器(2)中的基板(W)的中心部的处理气体的导入量与被导入到收纳在处理容器(2)中的基板(W)的周边部的处理气体的导入量之比在等离子体处理过程中发生变化。采用本发明,能够减小基板(W)的中心部和周边部的蚀刻速率(ER)等的偏差。因此,基板(W)表面的等离子体处理的均匀性提高。
主权项:一种等离子体处理装置,其用于使被导入到处理容器中的处理气体等离子化来处理基板,其中,该等离子体处理装置包括:中央导入部,其用于向收纳在上述处理容器中的基板的中心部导入处理气体;周边导入部,其用于向收纳在上述处理容器中的基板的周边部导入处理气体;分流器,其用于以向上述中央导入部和上述周边导入部供给的处理气体的流量比可变的方式调节向上述中央导入部和上述周边导入部供给的处理气体的流量比;控制部,其用于控制上述分流器,上述控制部在等离子体处理过程中控制上述分流器,使得来自上述中央导入部的处理气体的导入量与来自上述周边导入部的处理气体的导入量之比发生变化。
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