一种Cu<sub>2</sub>O纳米笋结构的半导体材料及其制备方法,申请号CN201110309144.1-传众专利搜索

一种Cu<sub>2</sub>O纳米笋结构的半导体材料及其制备方法

申请公布号：CN102442834A

申请号：CN201110309144.1

申请日期：2011.10.13

申请公布日期：2012.05.09

申请人：

华东师范大学

发明人：石慧;郁可;朱自强

分类号：C04B41/50(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I

主分类号：C04B41/50(2006.01)I

代理机构：

上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257

代理人：董红曼

地址：200062 上海市普陀区中山北路3663号

摘要：本发明属于光电子材料、半导体材料与器件技术领域，公开了一种Cu2O纳米笋结构的半导体材料，包括硅片和沉积在硅片上的Cu2O纳米笋结构晶体。其中，Cu2O纳米笋结构晶体包括纳米棒和从纳米棒内衍生出来的周期性层状分支Cu2O晶体。本发明还公开了Cu2O纳米笋结构的半导体材料的制备方法，将无水乙醇和水混合作为溶剂，以Cu(CH3COO)2·H2O粉末和吡咯作为原料，利用水热方法进行制备。本发明制备方法具有产量大，成本低，重复性高等优点。本发明Cu2O纳米笋结构的半导体材料的形貌特殊，作为一维结构的半导体材料有助于将电子的传输限制在一个维度上，大大提高传输效率，在制作高性能的电子器件上具有良好前景。

主权项：一种Cu2O纳米笋结构的半导体材料，其特征在于，包括硅片和沉积在所述硅片上的Cu2O纳米笋结构晶体。