HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR HALBLEITERVORRICHTUNG,申请号DE20111085353-传众专利搜索

HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR HALBLEITERVORRICHTUNG

申请公布号：DE102011085353(A1)

申请号：DE20111085353

申请日期：2011.10.27

申请公布日期：2012.05.03

申请人：

DENSO CORPORATION

发明人：TAYA, ATSUSHI;KANAMORI, KATSUHIKO;TOTOKAWA, MASASHI

分类号：H01L21/322;B81C1/00;H01L21/335

主分类号：H01L21/322

摘要：<p>Bei einem Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung wird ein Substrat (10), welches einkristallines Silizium enthält, bereitgestellt, eine umgeformte oder umgestaltete Schicht oder Reformschicht (11), welche sich durchgängig erstreckt, wird in dem Substrat (10) ausgebildet und die Reformschicht (11) wird durch Ätzen entfernt. Die Ausbildung der Reformschicht (11) enthält das Polykristallisieren eines Abschnitts des einkristallinen Siliziums durch Bestrahlen des Substrats (10) mit einem gepulsten Laserstrahl (L), während ein Brennpunkt des Laserstrahls (L) in dem Substrat (10) bewegt wird.</p>