METHOD OF PRODUCING SELF-SUPPORTING SUBSTRATES COMPRISING III-NITRIDES BY MEANS OF HETEROEPITAXY ON A SACRIFICIAL LAYER,申请号CA20042540245-传众专利搜索

METHOD OF PRODUCING SELF-SUPPORTING SUBSTRATES COMPRISING III-NITRIDES BY MEANS OF HETEROEPITAXY ON A SACRIFICIAL LAYER

申请公布号：CA2540245(C)

申请号：CA20042540245

申请日期：2004.09.24

申请公布日期：2012.02.14

申请人：

CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)

发明人：FELTIN, ERIC PASCAL;BOUGRIOUA, ZAHIA;NATAF, GILLES

分类号：C30B25/18;C30B25/02;C30B29/40;H01L21/20

主分类号：C30B25/18

摘要：La présente invention concerne l'élaboration de substrats autosupportés de nitrures d'éléments III. L'invention a plus particulièrement pour objet un procédé de réalisation d'un substrat autosupporté de nitrure d'élément III, et en particulier de nitrure de gallium (GaN) , obtenu par épitaxie à partir d'un substrat de départ caractérisé en ce qu'il comporte un dépôt d'une couche intermédiaire à base de silicium monocristalline à titre de couche sacrificielle destinée à être vaporisée spontanément lors de l'étape d'épitaxie du nitrure d'élément III. Ce procédé permet notamment l'obtention d'une couche autosupportée de nitrure d'élément III, plane et de diamètre supérieur à 2".