一种闪存的编程/擦除方法,申请号CN201110176473.3-传众专利搜索

一种闪存的编程/擦除方法

申请公布号：CN102270506A

申请号：CN201110176473.3

申请日期：2011.06.28

申请公布日期：2011.12.07

申请人：

上海宏力半导体制造有限公司

发明人：杨光军

分类号：G11C16/10(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I

主分类号：G11C16/10(2006.01)I

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：郑玮

地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

摘要：本发明公开一种闪存的编程/擦除方法，包括：数据输入；对该数据进行编程/擦除；对编程/擦除结果进行验证；计算误比特率，该误比特率为未成功编程/擦除的数据占所有编程/擦除数据的比例；根据该误比特率调整编程/擦除脉宽并重复进行编程/擦除操作；通过本发明，可以使闪存达到快速验证的目的，提高闪存编程/擦除的效率。

主权项：一种闪存的编程/擦除方法，至少包括如下步骤：步骤一：数据输入，将接收的数据存储于该闪存的页缓冲区，并进行初始参数设定；步骤二：对该数据进行编程/擦除；步骤三：对编程/擦除结果进行验证；步骤四：计算误比特率，该误比特率为未成功编程/擦除的数据占所有编程/擦除数据的比例；步骤五：根据该误比特率调整编程/擦除脉宽；以及步骤六：进入步骤二重复进行编程/擦除操作，直到该误比特率达到规定的比例。