一种氢氧化镍薄膜电极及其制备方法,申请号CN201010286111.5-传众专利搜索

一种氢氧化镍薄膜电极及其制备方法

申请公布号：CN102005571A

申请号：CN201010286111.5

申请日期：2010.09.19

申请公布日期：2011.04.06

申请人：

昆明理工大学

发明人：张正富;杨伦权;陈庆华;杨晓梅

分类号：H01M4/48(2010.01)I;H01M4/04(2006.01)I

主分类号：H01M4/48(2010.01)I

代理机构：

昆明正原专利代理有限责任公司 53100

代理人：金耀生

地址：650093 云南省昆明市五华区学府路253号

摘要：本发明涉及一种氢氧化镍薄膜电极及其制备方法。将经过处理的钛基片作为阴极，放在以硼酸溶液为缓冲液、以硫酸镍溶液为电镀液的溶液中，用脉冲电流进行电镀镍。再以电镀了镍膜的钛基片作为阳极，以泡沫镍作为阴极，放在碱性溶液中，进行电化学阳极氧化，即可获得氢氧化镍薄膜电极。本发明制备的氢氧化镍薄膜电极内阻较小，比电容量较大，且该制备方法简单实用，成本低廉。

主权项：本发明涉及的氢氧化镍薄膜电极按以下方法制备：第一步：取一直径为10～20mm、厚度为1～3mm的圆形钛片表面打磨、抛光处理后放到按硝酸与盐酸1∶3配比的王水里浸泡1小时，接着，在60～100℃温度下保温0.5～3小时后，冷却取出，再打磨抛光两面，作为基片；第二步：将处理过的钛基片作为阴极，放在以硼酸溶液浓度3g/L～60g/L为缓冲液，以硫酸镍溶液浓度20g/L～200g/L为电镀液的溶液中进行电镀，电镀液pH＝1.0～5.0，电镀时，脉冲电压幅值为20～50V，电压频率为：180～300Hz，电镀时间为：0.1～2.0小时，得到钛基片表面的致密镍镀层；第三步：以电镀了镍膜的钛基片作为阳极，泡沫镍作为阴极，放在氢氧化钾2～10mol/L溶液中，进行电化学氧化，氧化温度：25～80℃，氧化时间：1～4小时，氧化电压：0.7～1.2V，即获得薄膜厚度小于100μm的氢氧化镍薄膜电极。