固体摄像器件及其制造方法和电子装置,申请号CN201010250753.X-传众专利搜索

固体摄像器件及其制造方法和电子装置

申请公布号：CN101997015A

申请号：CN201010250753.X

申请日期：2010.08.11

申请公布日期：2011.03.30

申请人：

索尼公司

发明人：马渕圭司

分类号：H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I;H04N5/374(2011.01)I;H04N5/225(2006.01)I

主分类号：H01L27/146(2006.01)I

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：冯丽欣;陈桂香

地址：日本东京

摘要：涉及固体摄像器件及其制造方法和电子装置，该固体摄像器件包括：光电转换单元，它包括第一导电型的第一区域和第二导电型的第二区域，第一区域与第二区域之间形成pn结，第一区域和第二区域形成在半导体基板的信号读出面中，第二区域位于比第一区域深的位置处；以及传输晶体管，它形成在信号读出面中，并且被构造为通过沟道区域将累积在光电转换单元中的信号电荷传输到读出漏极，沟道区域位于第一区域的表面下方且在水平方向上与光电转换单元相邻。传输晶体管包括以延伸越过台阶的方式从沟道区域上方延伸至第一区域上方的传输栅极电极传输栅极电极与沟道区域之间隔着栅极绝缘膜。因此，能实现高饱和信号电平、高灵敏度和低随机噪声。

主权项：一种固体摄像器件的制造方法，所述固体摄像器件包括具有信号读出面的半导体基板，在所述信号读出面中形成有光电转换单元和传输晶体管，所述光电转换单元包括第一区域和第二区域，所述第一区域与所述第二区域之间形成pn结，所述传输晶体管被构造为通过沟道区域将信号电荷从所述光电转换单元传输到读出漏极，所述制造方法包括以下步骤：通过将第一导电型的杂质离子注入到所述信号读出面的将要形成所述光电转换单元、所述沟道区域和所述读出漏极的部分中，在所述半导体基板中形成所述第一区域；通过将第二导电型的杂质注入到所述信号读出面的将要形成所述光电转换单元、所述沟道区域和所述读出漏极且比所述第一区域深的部分中，在所述半导体基板中形成所述第二区域；在所述信号读出面上形成抗蚀剂图形，所述抗蚀剂图形具有开口，所述开口使所述信号读出面的将要形成所述沟道区域和所述读出漏极的部分暴露出来；采用所述抗蚀剂图形作为掩模，通过将第一导电型的杂质注入到所述信号读出面的将要形成所述沟道区域和所述读出漏极且比所述第一区域深的部分中，在所述半导体基板中形成第三区域；通过蚀刻除去所述第一区域的位于所述第三区域上方的部分；在所述半导体基板的信号读出面的已经除去了所述第一区域的部分上形成所述传输晶体管的栅极绝缘膜；形成传输栅极电极，所述传输栅极电极从所述沟道区域上方延伸至所述第一区域上方，且所述传输栅极电极与所述沟道区域之间隔着所述栅极绝缘膜；以及采用所述传输栅极电极作为掩模，通过将第二导电型的杂质离子注入到所述半导体基板的信号读出面的已经除去了所述第一区域的部分中，形成所述读出漏极。