膜沉积装置,申请号CN201010260542.4-传众专利搜索

膜沉积装置

申请公布号：CN101994102A

申请号：CN201010260542.4

申请日期：2010.08.20

申请公布日期：2011.03.30

申请人：

富士胶片株式会社

发明人：藤浪达也;高桥伸辅;殿原浩二;藤绳淳

分类号：C23C16/54(2006.01)I

主分类号：C23C16/54(2006.01)I

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：柳春琦

地址：日本国东京都

摘要：本发明提供一种膜沉积装置，包括：CVD成膜室，其被设置在基板的移动路径上，并且具有通过CVD在基板上进行膜沉积的功能；处理室，其被设置在移动路径上的CVD成膜室的上游或下游，并且具有在基板上进行预定处理的功能；和差压室，其被设置在CVD成膜室和处理室之间，并且与CVD成膜室和处理室连通。所述差压室包括：抽真空装置；气体引入装置，其用于引入以下气体中的至少一种：惰性气体，和要被供给到CVD成膜室和处理室两者中的气体；和控制装置，其控制抽真空装置和气体引入装置以将差压室保持在比CVD成膜室和处理室更高的压力。

主权项：一种膜沉积装置，其中膜沉积在纵向上移动的细长基板上进行，所述膜沉积装置包括：CVD成膜室，其被设置在所述基板的移动路径上，包括原料气供给装置和第一抽真空装置，并且具有通过CVD在所述基板上进行膜沉积的功能；处理室，其被设置在所述移动路径上的所述CVD成膜室的上游或下游，包括第二抽真空装置并且具有在所述基板上进行预定处理的功能；和差压室，其被设置在所述移动路径上的所述CVD成膜室和所述处理室之间，并且与所述CVD成膜室和所述处理室连通，其中所述差压室包括：第三抽真空装置；气体引入装置，其用于引入以下气体中的至少一种：惰性气体，和要被供给到所述CVD成膜室和所述处理室两者中的气体；和控制装置，其控制所述第三抽真空装置和所述气体引入装置以将所述差压室保持在比所述CVD成膜室和所述处理室更高的压力。