半导体存储器件,申请号CN200980103506.2-传众专利搜索

半导体存储器件

申请公布号：CN101933134A

申请号：CN200980103506.2

申请日期：2009.01.29

申请公布日期：2010.12.29

申请人：

日本优尼山帝斯电子株式会社

发明人：舛冈富士雄;新井绅太郎

分类号：H01L21/8242(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I

主分类号：H01L21/8242(2006.01)I

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：郑小军;冯志云

地址：日本东京都

摘要：在使用纵型晶体管的SGT所构成的4F2存储器单元中，因比特线是由柱状硅层下部的扩散层所形成，故为高电阻，有存储器的动作速度变慢的问题点。本发明提供一种半导体存储器件，其特征为：在使用纵型晶体管的SGT所构成的4F2存储器单元中，将具有与存储器单元同样构造的比特线衬褙用单元插入存储器单元阵列内，在比特线衬褙用单元中将由扩散层所形成的第一比特线与比第一比特线还低电阻的第二比特线予以衬褙，借此一边抑制存储器单元阵列面积的增大，一边使比特线低电阻化。

主权项：一种半导体存储器件，其特征在于，是使用具有漏极、栅极、以及源极配置于柱状硅层的垂直方向，且栅极电极围绕柱状半导体层的构造的纵型晶体管而构成，在存储器单元阵列内形成有由第一层所构成且连接于感测放大器的第一比特线，及由与所述第一层不同的层所构成且连接于所述感测放大器并比所述第一比特线还低电阻的第二比特线；在第一比特线上，所述纵型晶体管是形成一列；所述纵型晶体管的栅极电极是形成配线于与所述第一比特线垂直方向的字线；所述纵型晶体管包含用以选择存储器单元的第一晶体管及用以连接所述第一比特线与所述第二比特线的第二晶体管，在存储器动作中所述第二晶体管会变成导通，借此使所述第一比特线通过所述第二比特线予以衬褙，形成所述第一比特线及所述第二比特线为实质上低电阻的比特线。