用于静电放电保护的器件及其电路,申请号CN200510054248.7-传众专利搜索

用于静电放电保护的器件及其电路

申请公布号：CN1652331B

申请号：CN200510054248.7

申请日期：2005.02.06

申请公布日期：2010.07.28

申请人：

美格纳半导体有限会社

发明人：金吉浩

分类号：H01L23/60(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I

主分类号：H01L23/60(2006.01)I

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：陶凤波;侯宇

地址：韩国忠清北道

摘要：公开了一种用于静电保护的器件及其电路。根据本发明，用于静电放电保护的器件包括：在半导体衬底上形成的第一到第三阱、第一器件和第二器件以及形成在第三阱上的第二有源区域，该第一器件包括形成在第一阱上的预定区域中的阱拾取区域、源极区域和双扩散漏极区域以及形成在半导体衬底上的预定区域中的栅极，该第二器件包括形成在第二阱上的预定区域中的源极区域、双扩散漏极区域和第一有源区域和形成在半导体衬底上的预定区域中的栅极；其中，第一器件的栅极、源极区域和阱拾取区域与地焊盘连接；第一器件的漏极、和第二器件的源极和栅极与电源焊盘连接；第二器件的漏极和第一有源区域以及第二有源区域与I/O焊盘连接。

主权项：一种用于静电放电保护的器件，其包括：在半导体衬底上形成的第一阱、第二阱和第三阱；形成在所述第三阱上的第二有源区域；第一漏极漂移区，形成为与所述第一阱和第二阱交迭；第二漏极漂移区，形成在所述第二阱中；第一器件，其包括：形成在所述第一阱上的预定区域中的阱拾取区域、源极区域和双扩散漏极区域，以及形成在所述半导体衬底上的预定区域中的栅极，其中所述双扩散漏极区域形成在所述第一漏极漂移区内；以及第二器件，其包括：形成在所述第二阱上的预定区域中的源极区域、双扩散漏极区域和第一有源区域，以及形成在所述半导体衬底上的预定区域中的栅极，其中所述双扩散漏极区域和所述第一有源区域形成在所述第二漏极漂移区内的预定区域中，其中，所述第一器件的栅极、源极区域和阱拾取区域与地焊盘连接；所述第一器件的双扩散漏极区域、所述第二器件的源极区域和栅极与电源焊盘连接；且所述第二器件的双扩散漏极区域和第一有源区域、所述第二有源区域与I/O焊盘连接。