具有改善的开态电阻和击穿电压性能的半导体结构,申请号CN200610105819.X-传众专利搜索

具有改善的开态电阻和击穿电压性能的半导体结构

申请公布号：CN1909200B

申请号：CN200610105819.X

申请日期：2006.07.12

申请公布日期：2010.06.30

申请人：

半导体元件工业有限责任公司

发明人：齐亚·侯赛因;杜尚晖

分类号：H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I

主分类号：H01L21/336(2006.01)I

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：王永刚

地址：美国亚利桑那

摘要：在一个实施方案中，横向FET单元被形成在半导体材料本体中。此横向FET单元包括形成在漏接触与本体区之间的漂移区中的超结结构。此超结结构包括多个分隔开的填充的沟槽，这些填充的沟槽具有环绕沟槽的相反或交替的导电类型的掺杂区。

主权项：一种制作横向绝缘栅场效应晶体管器件的方法，包括下列步骤：提供具有第一导电类型的漂移区的半导体衬底，其中，此半导体衬底包含第二导电类型；形成邻近漂移区的第二导电类型的本体区；形成邻近漂移区的第一导电类型的漏接触区；在漏接触与本体区之间的漂移区中形成分隔开的沟槽；用第一导电类型的掺杂剂，对分隔开的沟槽的侧壁和下表面进行掺杂，以便在漂移区内形成第一掺杂区，其中，第一掺杂区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度；用第二导电类型的掺杂剂，对分隔开的沟槽的侧壁和下表面进行掺杂，以便在第一掺杂区内形成第二掺杂区，其中，各沟槽具有围绕其下表面的第一掺杂区和第二掺杂区；用材料填充分隔开的沟槽；在本体区中形成第一导电类型的源区；以及形成第一栅结构，其中第一栅结构邻近本体区。