SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD

申请公布号：US2010130011(A1)

申请号：US20090623556

申请日期：2009.11.23

申请公布日期：2010.05.27

申请人：

TOKYO ELECTRON LIMITED;TOHOKU UNIVERSITY

发明人：ENDOH TETSUO;NISHIMURA EIICHI

分类号：H01L21/308;H01L21/302

主分类号：H01L21/308

摘要：According to a disclosed semiconductor device fabrication method according to one embodiment of the present invention, a layer having a line-and-space pattern extending in one direction is etched using another layer having a line-and-space pattern extending in another direction intersecting the one direction, thereby obtaining a mask having two-dimensionally arranged dots. An underlying layer is etched using the mask, thereby providing two-dimensionally arranged pillars.

CARRIERS

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PROIETTORE VENTILATO PER VEICOLI

PEELING OF PROTECTIVE FILM

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MANUFACTURE OF FINE DISPERSION OF METAL OXIDE AND/OR METAL HYDROXIDE IN ALUMINUM HYDROXIDE