METHOD FOR FABRICATING PARTIAL SOI WAFER
申请公布号:KR20100053910(A)
申请号:KR20080112789
申请日期:2008.11.13
申请公布日期:2010.05.24
发明人:KIM, MYUNG OK
分类号:H01L21/20
主分类号:H01L21/20
摘要:PURPOSE: A method for manufacturing a partial silicon-on-insulator wafer is provided to prevent the contamination of a chamber due to metal element by forming a layer including non-metal element as an insulation pattern or a metal pattern on the wafer. CONSTITUTION: An insulation pattern is formed on a first silicon layer(401A). Contaminants and a damage layer on the first silicon layer are removed. A second silicon layer is formed on the first silicon layer by an epitaxial growth method. The second silicon layer is planarized. The second silicon layer is etched to form a trench. An element isolation layer(417B) is formed to fill the trench.
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