半导体器件及其制造方法,申请号CN200710198916.2-传众专利搜索

半导体器件及其制造方法

申请公布号：CN100578797C

申请号：CN200710198916.2

申请日期：2007.12.07

申请公布日期：2010.01.06

申请人：

株式会社东芝

发明人：入泽寿史;高木信一;杉山直治

分类号：H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I

主分类号：H01L27/12(2006.01)I

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：郭放

地址：日本东京都

摘要：半导体器件包括绝缘层(2)，以及被形成于绝缘层(2)上的，具有n沟道的n沟道MIS晶体管和具有p沟道的pMIS晶体管，其中n沟道MIS晶体管的n沟道是由具有沟道长度方向上单轴拉伸应变的Si层(10)形成，p沟道MIS晶体管的p沟道是由具有沟道长度方向上单轴压缩应变的SiGe或Ge层(20)形成，并且n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管中每一个的沟道长度方向都为<110>方向。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于包括：绝缘层；以及被形成于绝缘层上的、具有n沟道的n沟道MIS晶体管和具有p沟道的p沟道MIS晶体管，其中，n沟道MIS晶体管的n沟道由在沟道长度方向上具有单轴拉伸应变的Si层形成，p沟道MIS晶体管的p沟道由在沟道长度方向上具有单轴压缩应变的SiGe或Ge层形成，并且n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管中每一个的沟道长度方向都为<110>方向。