平坦的混合取向衬底结构及其形成方法,申请号CN200410092371.3-传众专利搜索

平坦的混合取向衬底结构及其形成方法

申请公布号：CN100505273C

申请号：CN200410092371.3

申请日期：2004.11.09

申请公布日期：2009.06.24

申请人：

国际商业机器公司

发明人：乔尔·P.·德索扎;约翰·A.·奥托;亚历山大·雷泽尼斯克;凯瑟琳·L.·斯恩格

分类号：H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I

主分类号：H01L27/12(2006.01)I

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：王永刚

地址：美国纽约

摘要：提供了一种利用模板叠层的局部非晶化和再结晶来形成具有不同晶向的半导体层的平坦衬底的方法。还提供了用本发明方法形成的混合取向半导体衬底结构以及与包含排列在不同表面取向上的至少二个半导体器件用来提高器件性能的各种CMOS电路集成的这种结构。

主权项：1. 一种平坦的混合取向SOI衬底结构，它包含：至少一个清楚地确定的第一单晶半导体区，具有第一表面取向；至少一个清楚地确定的第二单晶半导体区，具有第二表面取向，该第二表面取向不同于所述第一表面取向，该第二单晶半导体区是通过将具有第一表面取向的半导体材料非晶化，然后将非晶化的半导体材料再结晶得到的；其中，所述第一单晶半导体区和所述第二单晶半导体区侧向相邻，并且所述第一单晶半导体区和所述第二单晶半导体区直接设置在公共的埋置绝缘层上，所述公共的埋置绝缘层设置在衬底上；其中，所述至少一个清楚地确定的第一单晶半导体区和所述至少一个清楚地确定的第二单晶半导体区中的至少一个包含设置在下残留半导体上的上半导体，所述上半导体和下残留半导体具有不同的表面取向，所述下残留半导体与所述公共的埋置绝缘层直接接触。