高静压电容传感器,申请号CN200820099405.5-传众专利搜索

高静压电容传感器

申请公布号：CN201247118Y

申请号：CN200820099405.5

申请日期：2008.07.10

申请公布日期：2009.05.27

申请人：

重庆市伟岸测器制造有限公司

发明人：陈明万

分类号：G01L1/14(2006.01)I;G01L9/12(2006.01)I;G01L13/02(2006.01)I

主分类号：G01L1/14(2006.01)I

代理机构：

重庆市前沿专利事务所

代理人：郭云

地址：401121重庆市北部新区高新园黄山大道中段66号

摘要：本实用新型公开了一种高静压电容传感器，包括左膜座、右膜座、测量膜片、隔离膜片及焊环，其中，左膜座和右膜座的曲面相对与夹在中间的所述测量膜片焊接在一起，所述左膜座和右膜座的外端面各焊接有隔离膜片和焊环，所述左膜座的内端固套有左压环，所述右膜座的内端固套有右压环，该右压环和所述左压环焊接在一起。本实用新型通过设在左膜座、右膜座及测量膜片焊接处的压环，对膜座进行加固，有利于增加测量结果的精确性。

主权项：1. 一种高静压电容传感器，包括左膜座(1)、右膜座(2)、测量膜片(3)、隔离膜片(4)及焊环(5)，其中，左膜座(1)和右膜座(2)的曲面相对与夹在中间的所述测量膜片(3)焊接在一起，所述左膜座(1)和右膜座(2)的外端面各焊接有隔离膜片(4)和焊环(5)，其特征在于：所述左膜座(1)的内端固套有左压环(6)，所述右膜座(2)的内端固套有右压环(7)，该右压环(7)和所述左压环(6)焊接在一起。