连续制备碳化硅晶须的三室连续晶须生成真空炉,申请号CN200810063275.4-传众专利搜索

连续制备碳化硅晶须的三室连续晶须生成真空炉

申请公布号：CN101333685A

申请号：CN200810063275.4

申请日期：2008.07.29

申请公布日期：2008.12.31

申请人：

浙江理工大学

发明人：陈建军;王耐艳

分类号：C30B29/36(2006.01);C30B29/62(2006.01);F27B5/04(2006.01);F27B14/04(2006.01)

主分类号：C30B29/36(2006.01)

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：林怀禹

地址：310018浙江省杭州市江干区经济技术开发区白杨街道2号大街5号

摘要：本发明公开了一种连续制备碳化硅晶须的三室连续晶须生成真空炉。将真空炉依次分成三室，分别为装料准备室、碳热还原反应室和冷却卸料室，分别用隔热密封门隔开。三室中分别装有压力表、三通阀门抽气/放气口和进气口，碳热还原反应室上下两侧装有加热炉；石墨坩埚从装料准备室的进料口装入后，通过装料准备室的推杆，能将装料后的石墨坩埚从装料准备室和碳热还原反应室中移动至冷却卸料室。采用三室连续真空炉制备碳化硅晶须，在生产中不需降温停炉，可连续生产，生产效率高，节约能耗；同时采用了多种碳质诱导基底，使碳化硅晶须在多层石墨诱导板或碳纤维诱导基底上沉积生长，实现了高纯度、高产量碳化硅晶须的制备。

主权项：1、一种连续制备碳化硅晶须的三室连续晶须生成真空炉，其特征在于：将真空炉依次分成三室，分别为装料准备室(3)、碳热还原反应室(8)和冷却卸料室(13)，装料准备室(3)、碳热还原反应室间用第一隔热密封门(6)隔开，碳热还原反应室(8)和冷却卸料室(13)用第二隔热密封门(6)隔开；在装料准备室(3)上面的进料口装有进料盖(4)和第一压力表(2)和第一个三通阀门抽气/放气口(5)，装料准备室(3)下面开有第一进气口(19)，装料准备室(3)与第一隔热密封门(6)平行的装料准备室(3)装有推杆(1)；碳热还原反应室(8)上下两侧装有加热炉(9)，在碳热还原反应室(8)上面装第二压力表(7)和第二个三通阀门抽气/放气口(5)，碳热还原反应室(8)下面开有第二进气口(18)；冷却卸料室(13)上面装第三压力表(12)和第三个三通阀门抽气/放气口(14)，冷却卸料室(13)下面开有第三进气口(16)，与第二隔热密封门(6)平行的冷却卸料室(13)侧面出口装有出料门(15)；石墨坩埚从进料口装入后，通过推杆(1)，能将装料后的石墨坩埚从装料准备室(3)和碳热还原反应室(8)中移动至冷却卸料室(13)。