稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途,申请号CN200510119064.4-传众专利搜索

稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途

申请公布号：CN100443483C

申请号：CN200510119064.4

申请日期：2005.12.08

申请公布日期：2008.12.17

申请人：

发明人：耿延候;田洪坤;史建武

分类号：C07D409/14(2006.01);C07D417/14(2006.01);C07D333/04(2006.01);C07D495/04(2006.01);C07D513/04(2006.01);H01L51/30(2006.01)

主分类号：C07D409/14(2006.01)

代理机构：

长春科宇专利代理有限责任公司

代理人：马守忠

地址：130022吉林省长春市人民大街5625号

摘要：本发明涉及稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料及用途。该有机半导体材料的结构通式如右式：其中右Ⅳ式为稠环单元封端基团。本发明的有机半导体材料与噻吩齐聚物相比具有高的热稳定性及环境稳定性、高纯度和高迁移率等；在有机溶剂中溶解性极低，在器件制备过程中可采用成熟的光刻工艺，作为传输层应用于有机薄膜晶体管，制备的器件在空气中稳定。

主权项：1、一种稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料，其特征在于它具有如下结构通式：<img file="C2005101190640002C1.GIF" wi="848" he="230" />X＝S或C＝C Y＝C或N其中<img file="C2005101190640002C2.GIF" wi="259" he="109" />为以下结构通式的基团：<img file="C2005101190640002C3.GIF" wi="365" he="178" />n＝1-6 (I)或<img file="C2005101190640002C4.GIF" wi="498" he="248" />Z＝C或N n＝1-2(II)或<img file="C2005101190640002C5.GIF" wi="683" he="210" />Z＝C或N (III)其中<img file="C2005101190640002C6.GIF" wi="535" he="191" />为稠环单元封端基团，上述稠环单元封端的齐聚噻吩类高迁移率有机半导体材料不包含当X为C＝C，Y为C，thiophene为式I，n为1-6的化合物。