Layout structures in semiconductor memory devices including bit line layout for higher density migration,申请号US20050183613-传众专利搜索

Layout structures in semiconductor memory devices including bit line layout for higher density migration

申请公布号：US7426129(B2)

申请号：US20050183613

申请日期：2005.07.18

申请公布日期：2008.09.16

申请人：

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人：CHOI BYUNG-GIL;SUH YOUNG-HO;KWAK CHOONG-KEUN

分类号：G11C5/06

主分类号：G11C5/06

摘要：A true bit line can extend across a memory cell area of the memory device in a first direction and a complementary bit line can extend across the memory cell area in a second direction opposing the first direction, wherein the true bit line and the complementary bit line comprising a bit line pair.

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