Formation of low leakage thermally assisted radical nitrided dielectrics

申请公布号：US2007267706(A1)

申请号：US20070829733

申请日期：2007.07.27

申请公布日期：2007.11.22

申请人：

TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

发明人：NIIMI HIROAKI

分类号：H01L29/78

主分类号：H01L29/78

摘要：One or more aspects of the present invention relate to forming a dielectric suitable for use as a gate dielectric in a transistor. The gate dielectric is formed by a nitridation process that adds nitrogen to a semiconductor substrate.

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