半导体器件及其制造方法,申请号CN03140803.6-传众专利搜索

半导体器件及其制造方法

申请公布号：CN1332447C

申请号：CN03140803.6

申请日期：2003.06.03

申请公布日期：2007.08.15

申请人：

富士通株式会社

发明人：野村俊雄;铃木辉夫

分类号：H01L27/08(2006.01);H01L29/78(2006.01)

主分类号：H01L27/08(2006.01)

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：潘培坤;楼仙英

地址：日本神奈川县川崎市

摘要：一种外部放电(ESD)保护器件包括：形成在衬底上的栅极；在栅极的第一侧边上，在衬底中形成的第一导电类型的第一扩散区；在栅极的第二侧边上，在衬底中形成的第一导电类型的第二扩散区；和形成在第二扩散区下面的衬底中并与第二扩散区接触的第二导电类型的第三扩散区。由此，第三扩散区的杂质浓度设定为大于位于栅极正下方相同深度的衬底的区域的杂质浓度。

主权项：1、一种半导体器件，包括：衬底；形成在所述衬底上的栅极；在所述栅极的第一侧上，在所述衬底中形成的第一导电类型的第一扩散区；在所述栅极的第二侧上，在所述衬底中形成的所述第一导电类型的第二扩散区；和形成在所述第二扩散区下面的所述衬底中并与所述第二扩散区接触的第二导电类型的第三扩散区，所述第三扩散区含有所述第二导电类型的杂质元素，当在所述衬底中的相同深度相比时，其浓度大于含在所述栅极正下方的区域中的所述第二导电类型的杂质元素的浓度，所述栅极在其各侧壁表面上具有侧壁绝缘膜，所述侧壁绝缘膜在各侧壁表面上从所述栅极的顶部向下延伸至所述栅极的底部，其中，所述衬底是所述第二导电类型的衬底，和其中，所述第三扩散区仅与所述第二扩散区的底部接触，所述第三扩散区在所述栅极的所述第二侧上相对于所述栅极的偏移距离大于在所述第二侧上的所述第二扩散区相对于所述栅极的偏移距离。