半导体装置,申请号CN200610127219.3-传众专利搜索

半导体装置

申请公布号：CN1933179A

申请号：CN200610127219.3

申请日期：2006.09.12

申请公布日期：2007.03.21

申请人：

三洋电机株式会社

发明人：菊地修一;中谷清史;大川重明

分类号：H01L29/78(2006.01);H01L27/04(2006.01)

主分类号：H01L29/78(2006.01)

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：刘新宇;权鲜枝

地址：日本大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号

摘要：在以往的半导体装置中，按照有源区域形成无源区域，由此存在难以在无源区域中得到所希望的耐压特性的问题。在本发明的半导体装置中，以椭圆形状配置有MOS晶体管(1)。椭圆形状的直线区域(L)用作有源区域，椭圆形状的曲线区域(R)用作无源区域。在无源区域中，按照曲线形状形成有P型的扩散层(3)。另外，在无源区域的一部分中，形成有P型的扩散层(4)。而且，P型的扩散层(3、4)形成为浮置扩散层，与绝缘层上的金属层进行电容结合，成为施加规定电位的状态。根据该结构，可以提高无源区域中的耐压特性，并且可以维持有源区域的电流能力。

主权项：1.一种半导体装置，具有：半导体层；在前述半导体层上形成的背栅区、漏区以及源区；在前述半导体层上表面形成的栅氧化膜；在前述栅氧化膜上形成的栅电极；以及在前述半导体层上表面形成的绝缘层，该半导体装置的特征在于，在前述半导体层中形成成为电流路径的有源区域和不能成为电流路径的无源区域，在前述无源区域的前述半导体层中形成浮置状态的第一扩散层，在前述有源区域以及前述无源区域中，形成浮置状态的第二扩散层，在前述无源区域，前述第一扩散层和前述第二扩散层的形成区域重叠的区域，至少与在前述绝缘层上表面形成的金属层进行电容结合。