液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
申请公布号:CN1288477C
申请号:CN200310118412.7
申请日期:2003.12.09
申请公布日期:2006.12.06
发明人:金雄权;张允琼;朴承烈
分类号:G02F1/133(2006.01);G02F1/136(2006.01);H01L21/02(2006.01)
主分类号:G02F1/133(2006.01)
代理人:李辉
地址:韩国首尔
摘要:一种用于液晶显示器件且具有薄膜晶体管上滤色器(COT)结构的阵列基板包括:在基板上沿横向方向形成的选通线,包括在其一端的选通焊盘;形成在基板上以覆盖选通线的第一绝缘层;在基板上沿着纵向方向在第一绝缘层上方形成的数据线,数据线与选通线限定像素区域且包括在其一端的数据焊盘;形成在选通线和数据线交叉区域的薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极;与薄膜晶体管、选通线、以及除漏电极第二部分之外的数据线重叠的黑底;形成在基板的整个表面上方以覆盖黑底的第二绝缘层;在像素区域内且接触漏电极的第二暴露部分的第一像素电极;在像素区域内的第一像素电极上的滤色器;和在滤色器上且接触第一像素电极的第二像素电极。
主权项:1.一种用于液晶显示器件并具有薄膜晶体管上滤色器结构的阵列基板器件,其包括:在基板上沿横向方向形成的选通线,该选通线包括在其一端的选通焊盘;形成在基板上以覆盖选通线的第一绝缘层,该第一绝缘层暴露选通焊盘的第一部分;在基板上沿纵向方向在第一绝缘层上方形成的数据线,该数据线与选通线限定像素区域且其包括在其一端的数据焊盘;形成在选通线和数据线交叉区域的薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极;与薄膜晶体管、选通线和除漏电极第二部分之外的数据线重叠的黑底;在基板的整个表面上形成以覆盖黑底的第二绝缘层,该第二绝缘层暴露选通焊盘的第一部分、数据焊盘的第三部分和像素区域;在像素区域内且与漏电极的第二暴露部分相接触的第一像素电极;在像素区域内的第一像素电极上的滤色器;和在滤色器上且与第一像素电极相接触的第二像素电极。
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