具有沟槽栅结构的半导体器件及其制造方法
申请公布号:CN1527369A
申请号:CN200410007391.6
申请日期:2004.03.02
申请公布日期:2004.09.08
发明人:青木孝明
分类号:H01L21/336;H01L29/78;H01L29/744;H01L29/749
主分类号:H01L21/336
代理人:韩宏
地址:日本爱知县
摘要:一种用于制造半导体器件(100)的方法,包括步骤:在衬底(3)中形成沟槽(4);通过该绝缘膜(5),在该沟槽(4)中形成导电膜(6);以及在形成该导电膜(6)的步骤后,以退火温度使该衬底(3)退火,以便以退火温度去除该绝缘膜(5)中的损坏。用上述方法制造的器件(100)具有高可靠性。
主权项:1、一种用于制造半导体器件(100)的方法,包括步骤:在衬底(3)中形成具有内壁的沟槽(4);在所述沟槽(4)的内壁上形成绝缘膜(5);通过所述绝缘膜(5),在所述沟槽(4)中形成导电膜(6);以及在形成所述导电膜(6)的步骤后,以一退火温度使所述衬底(3)退火,以便以该退火温度去除所述绝缘膜(5)中的损坏。
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