MICRO-MECHANICAL INERTIAL SENSORS
申请公布号:WO0109622(A3)
申请号:WO2000US40305
申请日期:2000.07.05
申请公布日期:2004.05.21
发明人:STEWART, ROBERT, E.
分类号:B81B7/00;G01C19/56;G01P1/02;G01P15/08;G01P15/125;G01P15/13
主分类号:B81B7/00
摘要:Micromechanical inertial sensors are formed of a plurality of substantially-planar semiconductor wafers (18, 22, 26, 30, 32) interspersed with oxide layers (34, 36, 36', 38, 38', 40). The sensitive element (42) is located within an internal aperture (20) of a wafer (18) of the device and is separate therefrom. It is connected to an overlying oxide layer at pedestals (44, 46) that minimize contact area to thereby reduce stray capacitance. Portions of side edges of the various wafers (18, 22, 26, 30, 32) are successively recessed to create topside-exposed wafer sections that permit the grounding of all exposed portions of the device as operational potentials are applied to internal electrodes (14, 16) and sensitive elements.
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