高度湿敏电子器件元件及其制造方法,申请号CN02142507.8-传众专利搜索

高度湿敏电子器件元件及其制造方法

申请公布号：CN1494132A

申请号：CN02142507.8

申请日期：2002.09.23

申请公布日期：2004.05.05

申请人：

伊斯曼柯达公司

发明人：M·L·波罗森;J·施密滕多尔夫;J·P·塞尔比基

分类号：H01L23/02;H01L23/12;H01L23/28;H01L23/00;H01L33/00;H01L49/00

主分类号：H01L23/02

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：肖春京

地址：美国纽约州

摘要：一种高度湿敏电子器件元件及其制造方法，该元件包括封装外壳，外壳将所有高度湿敏电子器件封装在所述基底上，并具有密封材料，其位于所述基底和所述封装外壳之间，从而在所述基底和所述封装外壳之间围绕每个高度湿敏电子器件或围绕成组的多个高度湿敏电子器件形成完全密封。

主权项：1.一种具有高度湿敏电子器件的高度湿敏电子器件元件，该元件包括：a)含有两个或多个高度湿敏电子器件的基底；b)封装外壳，其将所有高度湿敏电子器件封装在所述基底上；c)密封材料，其位于所述基底和所述封装外壳之间，以在所述基底和所述封装外壳之间围绕每个高度湿敏电子器件或围绕成组的多个高度湿敏电子器件形成完全密封。