超低吸湿性高白晰疏水性沈淀矽石之制法,申请号TW091109224-传众专利搜索

超低吸湿性高白晰疏水性沈淀矽石之制法

申请公布号：TW585839

申请号：TW091109224

申请日期：2002.05.03

申请公布日期：2004.05.01

申请人：

德固萨股份有限公司

发明人：卡儿梅尔;海戈欧布拉登;洛夫史托弗斯;克利斯提恩庞斯;洛夫史考摩

分类号：C01B33/18

主分类号：C01B33/18

代理人：何金涂台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼;何秋远台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼

地址：德国

摘要：本发明关系一种制备疏水性沉淀矽石之方法，其为包含： a)制备一种有机聚矽氧烷衍生物与沉淀矽石之混合物， b)在10至150℃调理0.5至72小时之一段时间，和 c)用氧化气体在高于300℃之流化条件下作氧化热处理。流化条件较佳设置于悬浮床、移动床、流化床，及/或扰流床。

主权项：1.一种制造疏水性沉淀矽石之方法,包括:a)制备一种有机聚矽氧烷衍生物与沉淀矽石之混合物,b)在10至150℃调理0.5至72小时之期间,和c)用氧化气体在300℃以上于流动状态进行氧化之热处理。2.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤a)进行于以有机聚矽氧烷衍生物加至有1.0至80%含水量之沉淀矽石。3.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤a)进行于以有机聚矽氧烷衍生物加至含水量自70至99%之沉淀矽石,随后并自水分离固体。4.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤a)进行于同时供给一种沉淀矽石或含水沉淀矽石,和有机聚矽氧烷衍生物至一种旋转骤乾燥器中。5.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤a)进行于混合沉淀矽石与一种获自根据步骤a)和b)之经调理的沉淀矽石。6.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤b)进行于在100至180℃热处理0.5至2小时。7.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤b)进行于在室温贮存至少48小时。8.如申请专利范围第1项之方法,其中氧化气体含有Cl2.NOx、O3.O2.Br2及/或F2。9.如申请专利范围第1项之方法,其中氧化气体另含一种惰性气体。10.如申请专利范围第9项之方法,其中在惰性气体中氧化气体之用量至少为1容积%。11.如申请专利范围第1项之方法,其中氧化气体为空气或空气与惰性气体之混合物。12.如申请专利范围第1项之方法,其中氧化气体另含最高80%容积之水。13.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤a)、b)、和c)之一连续进行多次。14.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤a)和b)连续进行多次。15.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤a)、b)和c)连续进行多次。16.如申请专利范围第1至15项中任一项之方法,其中流化条件设定于一种悬浮床、移动床、流化床及/或扰流床上。图式简单说明:第1图显示本发明矽石展现陡峭的甲醇可湿着性,有均匀的疏水化。第2图显示习知疏水矽石在热处理中无本发明之调理作用者之甲醇可湿着性。