半导体装置之制造方法(二),申请号TW091105186-传众专利搜索

半导体装置之制造方法(二)

申请公布号：TW535335

申请号：TW091105186

申请日期：2002.03.19

申请公布日期：2003.06.01

申请人：

三菱电机股份有限公司

发明人：川津善平;八木哲哉

分类号：H01S3/18

主分类号：H01S3/18

代理人：洪澄文台北市大安区信义路四段二七九号三楼

地址：日本

摘要：一种半导体装置之制作方法。一异质接合结构包含有一AlxGa1-xAs(0<x≦1)层，一AlyGa1-yAs(0≦y≦1且y<X)层系形成于该AlxGa1-xAs层之表面上，该AlyGa1-yAs层之带隙小于该AlxGa1-xAs层之带隙，且该AlyGa1-yAs层之价带能大于该AlxGa1-xAs层之价带能，且该AlxGa1-yAs层之第一部分系被去除，以及一金属薄膜系形成于该AlyGa1-yAs层之表面上且位于该AlxGa1-yAs层之第一部份的外围。形成一罩幕图案，系覆盖该金属薄膜且使该AlxGa1-yAs层之第一部份暴露，则于光线照射下可对AlyGa1-yAs层之第一部份进行选择性蚀刻，其中该选择性蚀刻使用之蚀刻溶液的费米能阶大于该AlxGa1-yAs层之费米能阶。

主权项：1.一种半导体装置之制作方法,包括下列步骤:提供一异质接合结构,其包含有一第一半导体层,一第二半导体层系形成于该第一半导体层之表面上,该第二半导体层之带隙小于该第一半导体层之带隙,且该第二半导体层之价带能大于该第一半导体层之价带能,且该第二半导体层之第一部分系被去除,以及一金属薄膜系形成于该第二半导体层之表面上且位于该第二半导体层之第一部份的外围;以及形成一罩幕图案,系覆盖该金属薄膜且使该第二半导体层之第一部份暴露,则于光线照射下可对第二半导体层之第一部份进行选择性蚀刻,其中该选择性蚀刻使用之蚀刻溶液的费米能阶大于该第二半导体层之费米能阶。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制作方法,其中该第一半导体层以及该第二半导体层系分别由以下一种材料所构成,包含有AlGaAs材料、InGaAs材料、AlGaInP材料以及AlGaInAs材料。3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制作方法,其中该选择性蚀刻使用之蚀刻溶液包含有羟基(hydroxyl groups)。4.如申请专利范围第2项所述之半导体装置之制作方法,其中该选择性蚀刻使用之蚀刻溶液包含有羟基(hydroxyl groups)。5.如申请专利范围第3项所述之半导体装置之制作方法,其中该选择性蚀刻使用之蚀刻溶液包含有酒石酸(tartaric acid)。6.如申请专利范围第4项所述之半导体装置之制作方法,其中该选择性蚀刻使用之蚀刻溶液包含有酒石酸(tartaric acid)。7.一种半导体装置之制作方法,包括下列步骤:依序于一第一导电型之GaAs基底上形成一由第一导电型之AlGaAs构成之下盖层,一由AlGaAs材料以及多重量子井结构所构成之活性层,一由第二导电型之AlGaAs构成之第一上盖层,一由第一导电型之AlGaAs构成之电流阻挡层,以及一沟渠系沿着光引导方向延伸而形成于该电流阻挡层中以用来作为一条电流路径;于该电流阻挡层上形成一第二上盖层以覆盖该沟渠,然后于该第二上盖层上形成一接触层,其中该第二上盖层系由AlxGa1-xAs(0<x≦1)所构成,而该接触层系由之第二导电型之AlyGa1-yAs(0≦y≦1且y<x)所构成;于该接触层上形成一金属电极薄膜,然后形成一光阻图案以覆盖该金属电极薄膜且暴露出位于该沟渠两端表面之该接触层;以及利用该光阻图案作为罩幕,于光线照射下可对该接触层进行选择性蚀刻,其中该选择性蚀刻使用之蚀刻溶液的费米能阶大于该接触层之费米能阶,且该蚀刻溶液包含有酒石酸(tartaric acid)。图式简单说明:第1A-1B图显示本发明一实施例之半导体装置之制作方法。第2A-2B图显示本发明一实施例之半导体装置之制作方法。第3图显示本发明半导体雷射之制作方法的示意图。第4图系沿第3图之切线IV-IV显示本发明半导体雷射之剖面示意图。第5图系沿第3图之切线V-V显示本发明半导体雷射之剖面示意图。第6图显示本发明半导体雷射之制作方法一个步骤的剖面示意图。第7图显示本发明半导体雷射之制作方法一个步骤的剖面示意图。第8图显示本发明半导体雷射之制作方法一个步骤的剖面示意图。第9图显示本发明半导体雷射之制作方法一个步骤的剖面示意图。第10图显示本发明半导体雷射之制作方法一个步骤的剖面示意图。第11图显示本发明半导体雷射之制作方法一个步骤的剖面示意图。第12图显示本发明半导体雷射之制作方法一个步骤的剖面示意图。第13图显示习知半导体装置之剖面示意图。第14图系沿第13图之切线XIV-XIV显示习知半导体雷射之制作方法的剖面示意图。第15图系沿第13图之切线XIV-XIV显示习知半导体雷射之制作方法的剖面示意图。