半导体装置及其制造方法,申请号TW089106658-传众专利搜索

半导体装置及其制造方法

申请公布号：TW447090

申请号：TW089106658

申请日期：2000.04.11

申请公布日期：2001.07.21

申请人：

三洋电机股份有限公司

发明人：兵藤治雄;木村茂夫

分类号：H01L23/02

主分类号：H01L23/02

代理人：洪武雄台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;陈昭诚台北巿武昌街一段六十四号八楼

地址：日本

摘要：本发明提供一种内装有不会造成发火、冒烟、变色、变形的熔丝元件之半导体装置。其系在基板21表面形成晶片座26与电极部27、28,使半导体晶片29固定于晶片座26。将电极焊垫与电极部27之间予以丝焊连接，再把电极部27、28之间以金属细线31连接以作为熔丝元件。于基板21上，则形成通孔35以供作将晶片座26与电极部27、28各自引导至外部连接端子33、34、32之用。基板21之周围则以柱状部23围上,以形成凹部24，俾收纳金属细线31。再以盖体36盖上其上部，使凹部密闭成气密状态。由于可将熔丝元件收容于密闭的凹部24内，使熔断部不致接触到树脂等，因此，不会发火、冒烟、变色、变形。

主权项：1.一种半导体装置,其特征为具备:相对着的第一及第二主面之基板;固定于上述基板第一主面之半导体晶片;固定于上述第一主面之熔丝元件;用以使上述半导体晶片与上述熔丝元件收容于中空气密的空间内之盖体;以及形成于上述基板第二主面之外部连接端子。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述熔丝元件为丝焊用线。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述基板设有通孔,以使内部元件与上述外部连接端子连接成电互连。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述半导体晶片为二极体元件。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述外部连接端子系引导至上述熔丝元件之两端。6.一种半导体装置之制造方法,其系包括:准备具有相对着的第一及第二主面,并在上述第一主机形成多数个搭载部之共同基板之工序;在上述搭载部之各个形成半导体元件与熔丝元件之工序:将跨越上述各搭载部之复数个的盖体予以固定,以将上述半导体元件之各个予以中空密闭之工序;以及将上述盖体与上述基板按每一搭载部予以分离,以制造使上述半导体元件之各个予以中空密闭而成之半导体装置之工序。7.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中上述搭载部具有凹部,而以柱状部围住其周围。8.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法,其中上述基板呈平板状而将具有格子状之柱状部与贯通孔之构件予以固定而形成上述凹部。9.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中在上述盖体具有柱状部与凹部,而以将上述凹部覆盖于上述半导体元件之方式予以中空密闭。10.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中上述分割的工序为切割工作。11.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方法,其中将上述柱状部之大致中央部予以切割。图式简单说明:第一图(A)及第一图(B)为用以说明本发明之(A)剖面图,(B)俯视图。第二图(A)及第二图(B)为用以说明本发明之斜视图。第三图(A)及第三图(B)为用以说明本发明之斜视图。第四图(A)及第四图(B)为用以说明本发明之斜视图。第五图为用以说明本发明之斜视图。