MANUFACTURING METHOD OF INTEGRATED CIRCUIT
申请公布号:JP2001110901(A)
申请号:JP20000248124
申请日期:2000.08.18
申请公布日期:2001.04.20
发明人:GERARD W GIBSON;STEVEN ALAN LITTLE;MARY DORUMONDO ROBBY;DANIEL JOSEPH BITTOKABAJI;WOLF THOMAS MICHAEL
分类号:H01L27/00;H01L21/316;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/04;(IPC1-7):H01L21/768
主分类号:H01L27/00
摘要:<p>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of providing a dielectric layer of low dielectric constant on an integrated circuit. SOLUTION: This method comprises a step where a dielectric layer of multilayered structure is formed on a substrate, and the dielectric layer of multilayered structure is composed of a structure layer and a dielectric layer of low dielectric constant.</p>
Plasmaerzeugungsvorrichtung mit einer Induktionsspule
Kugelschwenkmodul und Verfahren zum Betreiben eines Kugelschwenkmoduls
Stufenlos einstellbare Kalibrierhülse für extrudierte Kunststoffrohre
Batteriemodul und Verfahren zu dessen Herstellung
Optische Triangulations-Sensoranordnung und Linsenanordnung hierfür
Verfahren zur Erstellung von Unternehmenspräsentationen
Tragbares Sicherungsgerät geeignet zum Schutze für Mensch und Maschine
Türbeschlag zur oberen Führung von Schiebetüren
Bett, insbesondere Kranken- und/oder Pflegebett
Ventil, insbesondere Servoventil
Automatikgetriebefluid-Wärmer-Kühlmittelzirkulationssystem und Gestaltungsverfahren davon
Energiespeicher für einen Laststufenschalter sowie Laststufenschalter mit Energiespeicher