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MANUFACTURING METHOD OF INTEGRATED CIRCUIT

申请公布号:JP2001110901(A)

申请号:JP20000248124

申请日期:2000.08.18

申请公布日期:2001.04.20

申请人:
LUCENT TECHNOL INC

发明人:GERARD W GIBSON;STEVEN ALAN LITTLE;MARY DORUMONDO ROBBY;DANIEL JOSEPH BITTOKABAJI;WOLF THOMAS MICHAEL

分类号:H01L27/00;H01L21/316;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/04;(IPC1-7):H01L21/768

主分类号:H01L27/00

摘要:<p>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of providing a dielectric layer of low dielectric constant on an integrated circuit. SOLUTION: This method comprises a step where a dielectric layer of multilayered structure is formed on a substrate, and the dielectric layer of multilayered structure is composed of a structure layer and a dielectric layer of low dielectric constant.</p>

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