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记忆体测试装置之故障分析记忆体

申请公布号:TW347469

申请号:TW086116062

申请日期:1997.10.29

申请公布日期:1998.12.11

申请人:
阿杜凡泰斯特股份有限公司

发明人:太幡诚;佐藤新哉

分类号:G01R31/28

主分类号:G01R31/28

代理人:林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼

地址:日本

摘要:在一种记忆体测试装置之故障分析记忆体中,此具有一故障资料储存部份由一故障资料记忆体及一第一记亿体控制部份构成,及一屏蔽资料储存部份由一屏蔽资料记忆体及一第二记忆体控制部份构成,当由测试装置在测试模式中逻辑比较之结果为一故障时,第一记忆体控制部份执行控制,以产生写入致能资料,并写入故障资料于故障资料记忆体中对应位址处,及在移去模式中,执行控制,以读出故障资料记忆体中之故障资料,并提供此至屏蔽资料储存部份。在测试模式中,第二记忆体控制部份执行控制,以提供自屏蔽资料记忆体中读出之屏蔽资料,提供至记忆体测试装置之一逻辑比较器,作为一禁止信号,以禁止其执行逻辑比较,且在移去模式中,第二记忆体控制部份执行控制,俾由故障资料记忆体中所读出之故障资料产生一写入致能信号,并供应此至屏蔽资料记忆体,以写入屏蔽资料于其中对应位址处。

主权项:1.一种供记忆体测试装置用之故障分析记忆体,其中:在一测试模式中,经由使用图案产生器所产生之测试资料,位址,及预期资料在逐步改变之测试条件下,测试一记忆体之每一步骤中,该测试资料写入于待测记忆体中该位址处,自其中读出之资料由逻辑比较器与该预期资料作比较,比较结果写入于故障分析记忆器中对应位址处,以分析待测记忆体之故障,屏蔽故障分析记忆体之与在前测试中已故障之待测记忆体对应之一位址;及在一移去模式中,新产生供故障分析记忆体用之屏蔽资料,俾准备写入次一测试中之比较结果于其中,该故障分析记忆体包含:一故障资料储存部份,及一屏蔽资料储存部份;其中,故障资料储存部份包含:一故障资料记忆体,具有一资料输入端供应一预定之逻辑位准;及一第一记忆体控制部份,此执行控制,俾在测试模式中,依据比较结果产生一写入致能信号,及该预定逻辑位准作为故障资料写入于故障资料记忆体中对应位置处,且在移去模式中,自故障资料记忆体中读出该故障资料;及其中,屏蔽资料储存部份包含:一屏蔽资料记忆体,具有一资料输入端供应预定逻辑位准;及一第二记忆体控制部份,此执行控制,俾在测试模式中,自屏蔽资料记忆体中与图案产生器之位址对应之一位址处读出屏蔽资料,并作为禁止信号提供此资料给逻辑比较器,以禁止其执行在该位址上之逻辑比较,且在移去模式中,自故障资料记忆体中读出之故障资料作为写入致能信号供应至屏蔽资料记忆体中,以写入该逻辑位准于其中该对应之位址处,作为屏蔽资料。2.如申请专利范围第1项所述之故障分析记忆体,另包含:一位址指示器,此产生一位址供进出故障资料记忆体及屏蔽资料记忆体之用;及一位址多工器,此在测试模式中选择来自图案产生器之位址,及在移去模式中选择来自位址指示器之位址,以提供所选之位址给故障资料记忆体及屏蔽资料记忆体二者共用。3.如申请专利范围第1或2项所述之故障分析记忆体,其中,该第二记忆体控制部份包含位址延迟装置,此延迟该位址一预定时间,以输出一延迟之位址,及一延迟多工器,此在测试模式中选择直接提供于其上之位址,及在移去模中,选择延迟之位址,以输出此作为欲提供给屏蔽资料之位址。4.如申请专利范围第3项所述之故障分析记忆体,其中,该第二记忆体控制部份另包含一资料多工器,此具有一开放输入端,及在移去模式中供应自故障资料记忆体中读出之故障资料之一输入端,且此在测试模式中选择该开放输入端,及在移去模式中选择故障资料输入端,俾写入致能信号供应至屏蔽资料记忆体中,故当故障资料在一预定选辑位准上时,置该记忆体于写入模式,及当故障资料不在该预定逻辑位准上时,该屏蔽资料记忆体在读出模式。5.如申请专利范围第4项所述之故障分析记忆体,其中,该第一记忆体控制部份包含一比较结果多工器,此在测试模式中选择来自逻辑比较器之比较结果,并提供所选择之比较结果之预定逻辑位准至故障资料记忆体,作为写入致能信号,以置其于写入模式中,在移去模式中,此并不选择该比较结果。6.如申请专利范围第5项所述之故障分析记忆体,其中,第一记忆体控制部份另包含第二延迟装置,此延迟该位址一预定之时间,以输出一延迟位址,及第二延迟多工器,此在测试模式中选择直接提供于其上之位址,并提供此至故障资料记忆体。7.如申请专利范围第2项所述之故障分析记忆体,另包含一移去模式暂存器,用以保持资讯,此在测试模式中设定位址多工器选择来自图案产生器之位址,及在移去模式中选择来自位址指示器之位址。8.如申请专利范围第4项所述之故障分析记忆体,另包含一屏蔽模式暂存器,用以保持资讯,此设定该延迟多工器及资料多工器,俾延迟多工器在测试模式中选择及输出直接提供于其上之位址,及在移去模式中,延迟多工器选择来自延迟装置之延迟位址,及资料多工器选择自故障资料记忆体中读出之故障资料。图式简单说明:第一图为方块图,显示普通记忆体测试装置之构形;第二图显示由于每一记忆体在不同之测试条件下测试之结果。写入于故障分析记忆器中之资料状态;第三图显示在每一测试之终,在故障分析记忆体之故障资料储存部份及屏蔽资料储存部份之状态;第四图为方块图,显示普通故障分析记忆体之构形;第五图为定时图,显示第四图所示之故障分析记忆体之移去操作;第六图为方块图,显示本发明之故障分析记忆体;及第七图为定时图,显示第六图实施例之移去操作。

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